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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4620TRLPBF
No. Parte Newark13AC9163
Rango de ProductoHEXFET Series
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Hoja de datos técnicos
267 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.260 |
| 10+ | $2.370 |
| 25+ | $2.170 |
| 50+ | $1.950 |
| 100+ | $1.750 |
| 250+ | $1.750 |
| 500+ | $1.730 |
| 1600+ | $1.260 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4620TRLPBF
No. Parte Newark13AC9163
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0775
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia144
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0775
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
144
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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