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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4115TRL7PP
No. Parte Newark49AC0318
Rango de ProductoHEXFET Series
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260 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.010 |
| 10+ | $3.870 |
| 25+ | $3.710 |
| 50+ | $3.570 |
| 100+ | $3.420 |
| 250+ | $3.250 |
| 500+ | $3.070 |
| 1600+ | $2.910 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4115TRL7PP
No. Parte Newark49AC0318
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id105
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0118
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia380
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
105
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0118
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
380
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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