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IRFS3004TRL7PP
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 240 A, 0.00125 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
269 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.420 |
| 10+ | $4.730 |
| 25+ | $4.350 |
| 50+ | $3.960 |
| 100+ | $3.580 |
| 250+ | $3.570 |
| 500+ | $3.560 |
| 1600+ | $2.900 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS3004TRL7PP
No. Parte Newark13AC9148
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id240
Resistencia de Activación Rds(on)900µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00125
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd380W
Disipación de Potencia380
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® de canal N único adecuado para uso en rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, suministro de energía ininterrumpida, conmutación de energía de alta velocidad, aplicaciones de circuitos de alta frecuencia y conmutación rígida.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Optimizado para una mayor disponibilidad de los socios de distribución
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Nivel normal: optimizado para voltaje de accionamiento de puerta de 10V
- Paquete de energía de montaje en superficie estándar de la industria
- Paquete de capacidad de transporte de alta corriente (hasta 240A, dependiendo del tamaño de la matriz)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
900µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
380W
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
240
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00125
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
380
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRFS3004TRL7PP
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto