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IRFR9024NTRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
755 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.340 | $1.34 |
| Total Precio | $1.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.340 |
| 10+ | $0.879 |
| 25+ | $0.790 |
| 50+ | $0.700 |
| 100+ | $0.611 |
| 250+ | $0.554 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR9024NTRLPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9147
Cinta adhesiva13AC9147
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia de Activación Rds(on)0.175ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.175ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd38W
Disipación de Potencia38W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFR9024NTRLPBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal P.
- Ultra baja resistencia de encendido
- Tecnología de proceso avanzada
- Conmutación rápida
- Clasificado avalancha completa
- Bajo RDS(on)
- Estructura de celda planar para SOA amplio
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.175ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
38W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.175ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
38W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
