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IRFR7540TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR7540TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5322
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2071
Cinta adhesiva31Y2071
También conocido comoSP001550214
Su número de pieza
12,506 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.090 | $10.45 |
| Total Precio | $10.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.090 |
| 10+ | $1.340 |
| 25+ | $1.190 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.901 |
| 250+ | $0.809 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.739 |
| 4000+ | $0.720 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR7540TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5322
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2071
Cinta adhesiva31Y2071
También conocido comoSP001550214
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia de Activación Rds(on)0.004ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4800µohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRFR7540TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, half-bridge and full-bridge topologies.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.004ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
140W
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRFR7540TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
