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IRFR7446TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 56 A, 0.0039 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR7446TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5321
Re-reeling (Rollos a medida)45X9512RL
Cinta adhesiva45X9512
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001557906
Su número de pieza
5,993 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.510 | $7.55 |
| Total Precio | $7.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.510 |
| 50+ | $0.952 |
| 100+ | $0.632 |
| 250+ | $0.564 |
| 500+ | $0.495 |
| 1000+ | $0.451 |
| 2500+ | $0.442 |
| 5000+ | $0.433 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.417 |
| 4000+ | $0.401 |
| 8000+ | $0.384 |
| 12000+ | $0.366 |
| 20000+ | $0.344 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR7446TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5321
Re-reeling (Rollos a medida)45X9512RL
Cinta adhesiva45X9512
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001557906
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id56
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0039
Resistencia de Activación Rds(on)0.003ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd98W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia98W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0039
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET, HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
56
Resistencia de Activación Rds(on)
0.003ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
98W
Disipación de Potencia
98W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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