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IRFR6215TRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
4,917 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.180 | $2.18 |
| Total Precio | $2.18 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.180 |
| 10+ | $1.430 |
| 25+ | $1.300 |
| 50+ | $1.160 |
| 100+ | $1.030 |
| 250+ | $0.938 |
| 500+ | $0.847 |
| 1000+ | $0.790 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR6215TRLPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9143
Cinta adhesiva13AC9143
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id13
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.295
Resistencia de Activación Rds(on)0.295ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd110W
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® de canal P único de -150V
- Tecnología de proceso avanzada
- Conmutación rápida
- Clasificado avalancha completa
- Bajo RDS(on)
- Calidad líder en la industria
- Clasificación dv/dt dinámica
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.295
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
110W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
13
Resistencia de Activación Rds(on)
0.295ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFR6215TRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
