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IRFR5305TRPBF
MOSFET POT, CANAL P, 55V, 31A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR5305TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo26AC0550
Hilado completo51AM3618
Re-reeling (Rollos a medida)48W3427
Cinta adhesiva48W3427
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
62,299 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.700 | $1.70 |
| Total Precio | $1.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.700 |
| 50+ | $1.120 |
| 100+ | $0.784 |
| 250+ | $0.714 |
| 500+ | $0.643 |
| 1000+ | $0.598 |
| 2500+ | $0.557 |
| 5000+ | $0.538 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.327 |
| 4000+ | $0.404 |
| 8000+ | $0.364 |
| 12000+ | $0.350 |
| 20000+ | $0.342 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR5305TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo26AC0550
Hilado completo51AM3618
Re-reeling (Rollos a medida)48W3427
Cinta adhesiva48W3427
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id31A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Ultra low on-resistance
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRFR5305TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto