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IRFR5305TRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR5305TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo32AC0712
Re-reeling (Rollos a medida)89Y7292RL
Cinta adhesiva89Y7292
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.010 | $2.01 |
| Total Precio | $2.01 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.010 |
| 50+ | $1.330 |
| 100+ | $0.920 |
| 250+ | $0.836 |
| 500+ | $0.751 |
| 1000+ | $0.699 |
| 2500+ | $0.672 |
| 5000+ | $0.644 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.518 |
| 9000+ | $0.468 |
| 15000+ | $0.459 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR5305TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo32AC0712
Re-reeling (Rollos a medida)89Y7292RL
Cinta adhesiva89Y7292
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id31A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia110W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRFR5305TRLPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
110W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFR5305TRLPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto