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IRFR3607TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 56 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR3607TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5314
Re-reeling (Rollos a medida)25R3336RL
Cinta adhesiva25R3336
También conocido comoSP001567010
Su número de pieza
9,190 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.400 | $2.40 |
| Total Precio | $2.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.400 |
| 50+ | $1.260 |
| 100+ | $1.150 |
| 250+ | $1.050 |
| 500+ | $0.955 |
| 1000+ | $0.936 |
| 2500+ | $0.917 |
| 5000+ | $0.898 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.772 |
| 18000+ | $0.757 |
| 30000+ | $0.741 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR3607TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5314
Re-reeling (Rollos a medida)25R3336RL
Cinta adhesiva25R3336
También conocido comoSP001567010
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.009
Resistencia de Activación Rds(on)0.00734ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFR3607TRPBF es un MOSFET de potencia de canal N único HEXFET® que ofrece capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas. Es adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, circuitos duros y circuitos de alta frecuencia.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.009
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00734ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto