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IRFR220NTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR220NTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5308
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0379RL
Cinta adhesiva42Y0379
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.130 | $1.13 |
| Total Precio | $1.13 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.130 |
| 50+ | $0.573 |
| 100+ | $0.519 |
| 250+ | $0.471 |
| 500+ | $0.422 |
| 1000+ | $0.414 |
| 2500+ | $0.405 |
| 5000+ | $0.397 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.357 |
| 4000+ | $0.341 |
| 6000+ | $0.324 |
| 10000+ | $0.318 |
| 20000+ | $0.311 |
| 50000+ | $0.305 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR220NTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5308
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0379RL
Cinta adhesiva42Y0379
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia43W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRFR220NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFR220NTRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto