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IRFR15N20DTRPBF
MOSFET de Potencia, SMPS, Canal N, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR15N20DTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5306
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3277RL
Cinta adhesiva43AC3277
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
5,448 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.790 | $1.79 |
| Total Precio | $1.79 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.790 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.902 |
| 250+ | $0.838 |
| 500+ | $0.773 |
| 1000+ | $0.729 |
| 2500+ | $0.693 |
| 5000+ | $0.679 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.676 |
| 12000+ | $0.662 |
| 18000+ | $0.649 |
| 30000+ | $0.635 |
| 60000+ | $0.622 |
| 150000+ | $0.608 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR15N20DTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5306
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3277RL
Cinta adhesiva43AC3277
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.165ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.165ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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