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IRFR024NTRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR024NTRLPBF
No. Parte Newark40M7894
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001560558
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd45W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia45
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza IRFR024NTRLPBF
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
45W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
45
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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