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IRFP9140NPBF
MOSFET POT, CANAL P, 100V, 23A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP9140NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark63J6897
También conocido comoSP001556802
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.980 |
| 10+ | $2.160 |
| 100+ | $1.330 |
| 500+ | $1.070 |
| 1000+ | $0.990 |
| 2500+ | $0.921 |
| 5000+ | $0.846 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP9140NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark63J6897
También conocido comoSP001556802
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.117ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.117ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd120W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia120W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFP9140NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal P de -100V, el HEXFET de quinta generación utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que HEXFET power MOSFET es bien conocido, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.117ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Disipación de Potencia Pd
120W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.117ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
120W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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