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IRFP4332PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 57 A, 33 mohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4332PBF
No. Parte Newark61M6841
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id57
Resistencia de Activación Rds(on)0.029ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia Pd120mW
Disipación de Potencia120
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.029ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
120mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
57
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia
120
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto