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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP3415PBF
No. Parte Newark64AH3709
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id43A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia200W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
43A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto