Imprimir página
IRFP150NPBF
MOSFET de Potencia, Propósito General, Canal N, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP150NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark63J6848
También conocido comoSP001564068
Su número de pieza
2,240 En Inventario
400 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.140 |
| 10+ | $3.060 |
| 100+ | $1.560 |
| 500+ | $1.310 |
| 1000+ | $1.230 |
| 2500+ | $1.170 |
| 5000+ | $1.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.14
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP150NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark63J6848
También conocido comoSP001564068
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036
Resistencia de Activación Rds(on)0.036ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFP150NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 100V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando tecnología planar avanzada.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia de Activación Rds(on)
0.036ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
140W
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto