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IRFL4105TRPBF
N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.7A SOT-223
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Opciones de embalaje
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFL4105TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9117RL
Cinta adhesiva13AC9117
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id5.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto