Imprimir página
IRFI3205PBF
MOSFET, N-CH, 55V, 64A, 175DEG C, 63W
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.800 |
| 10+ | $2.050 |
| 100+ | $1.930 |
| 500+ | $1.640 |
| 1000+ | $1.550 |
| 4000+ | $1.500 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.80
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFI3205PBF
No. Parte Newark38K2520
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id64
Resistencia de Activación Rds(on)0.008ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8000µohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd63W
Disipación de Potencia63
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® de canal N único
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Paquete aislado
- Calificación de avalancha completa
- Aislamiento de alto voltaje de 2.5KVRMS
- 4.8mm de sumidero para distancia de fuga
- Clasificación dinámica dv/dt y bajo RDS(on)
- Calidad líder en la industria
- Conmutación rápida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0.008ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
63W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
64
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8000µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
63
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto