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IRFHS8342TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, DFN2020, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFHS8342TRPBF
No. Parte Newark25T5488
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001556608
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id8.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016
Diseño de TransistorDFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia2.1
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia Pd
2.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto