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IRFH5015TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 56 A, 0.031 ohm, PQFN, Montaje Superficial
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.46 |
| 10+ | $1.16 |
| 25+ | $1.09 |
| 50+ | $1.02 |
| 100+ | $0.96 |
| 250+ | $0.95 |
| 500+ | $0.94 |
| 1000+ | $0.92 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH5015TRPBF
No. Parte Newark65R4956
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001575670
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id56
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031
Resistencia de Activación Rds(on)0.031ohm
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia3.6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFH5015TRPBF es un MOSFET de potencia de canal N único HEXFET® que ofrece un pin-out estándar de la industria para compatibilidad con múltiples proveedores. Es adecuado para rectificación síncrona del lado secundario y aplicaciones de ladrillo de CD a CD. Es compatible con las técnicas existentes de montaje en superficie.
- Bajo RDS (ON) (<lt/>31mΩ) da como resultado pérdidas de conducción bajas
- La baja resistencia térmica a PCB (<lt/>0.8°C/W) da como resultado una mayor densidad de potencia
- 100% Rg probado para mayor confiabilidad
- Libre de halógenos
- Cualificación industrial MSL-1 (mayor fiabilidad)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
56
Resistencia de Activación Rds(on)
0.031ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.6W
Disipación de Potencia
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRFH5015TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto