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IRFH4255DTRPBF
MOSFET Dual, Canal N + Schottky, 25 V, 105 A, 0.0015 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH4255DTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)45X9505RL
Cinta adhesiva45X9505
Rango de ProductoFastIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001575678
Su número de pieza
3,438 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.160 | $2.16 |
| Total Precio | $2.16 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.160 |
| 50+ | $1.900 |
| 100+ | $1.710 |
| 250+ | $1.530 |
| 500+ | $1.330 |
| 1000+ | $1.150 |
| 2500+ | $1.050 |
| 5000+ | $0.986 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH4255DTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)45X9505RL
Cinta adhesiva45X9505
Rango de ProductoFastIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001575678
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25
Intensidad Drenador Continua Id105A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N105
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0015
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorQFN
No. de Pines10Pines
Disipación de Potencia de Canal N38
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoFastIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
IRFH4255DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET suitable for control and synchronous MOSFETs for synchronous buck converters.
- Control and synchronous MOSFETs in one package
- Low charge control MOSFET (10nC typical)
- Low RDSON synchronous MOSFET (<lt/>2.10mohm)
- Intrinsic Schottky diode with low forward voltage on Q2
- Increased power density
- Lower conduction losses
- Environmentally friendlier
- Lower switching losses
- Increased reliability
- Dual PQFN 0.197" x 0.237" package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Intensidad Drenador Continua Id
105A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
10Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
FastIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
105
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0015
Diseño de Transistor
QFN
Disipación de Potencia de Canal N
38
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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