Imprimir página
IRFB7530PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7530PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark43X7200
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001575524
Su número de pieza
6,142 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.040 |
| 10+ | $3.680 |
| 25+ | $3.490 |
| 50+ | $3.300 |
| 100+ | $3.100 |
| 250+ | $2.910 |
| 500+ | $2.720 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.04
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7530PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark43X7200
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001575524
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id195
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.002
Resistencia de Activación Rds(on)0.00165ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFB7530PBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Es adecuado para circuitos alimentados por batería, aplicaciones rectificadoras síncronas, juntas tóricas e interruptores de alimentación redundantes, topologías de medio puente y puente completo.
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.002
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
195
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00165ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
375W
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto