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IRFB4410PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFB4410PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 97K1977 |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.900 |
| 10+ | $1.870 |
| 100+ | $1.290 |
| 500+ | $0.999 |
| 1000+ | $0.979 |
| 2500+ | $0.959 |
| 5000+ | $0.939 |
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFB4410PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 97K1977 |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 96 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.01 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 20 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 250 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Alternativas para el número de pieza IRFB4410PBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
The IRFB4410PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Fast switching
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 20 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 96 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.01 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Disipación de Potencia | 250 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |