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IRFB4410PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4410PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark97K1977
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.190 |
| 10+ | $2.060 |
| 100+ | $1.420 |
| 500+ | $1.130 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $1.080 |
| 5000+ | $1.060 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4410PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark97K1977
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id96
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFB4410PBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
The IRFB4410PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Fast switching
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
96
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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