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IRFB4115PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 104 A, 11 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4115PBF
No. Parte Newark46P7869
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.430 |
| 10+ | $1.430 |
| 100+ | $1.430 |
| 500+ | $1.430 |
| 1000+ | $1.430 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4115PBF
No. Parte Newark46P7869
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id104
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Resistencia de Activación Rds(on)0.0093ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd380W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia380
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFB4115PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 150V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET de Zanja. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia a alta velocidad, circuitos de conmutación dura y alta frecuencia.
- Solidez de dv/dt dinámica, avalancha y compuerta mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
104
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0093ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
380W
Disipación de Potencia
380
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto