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IRFB4110PBF
MOSFET POT, CANAL N, 100V, 180A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4110PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.520 |
| 10+ | $1.860 |
| 100+ | $1.680 |
| 500+ | $1.580 |
| 1000+ | $1.370 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4110PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark73K8209
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id180A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0045ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd370W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia370W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFB4110PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 100V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET de Zanja. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia a alta velocidad, circuitos de conmutación dura y alta frecuencia.
- Solidez de dv/dt dinámica, avalancha y compuerta mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4500µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0045ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
370W
Disipación de Potencia
370W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRFB4110PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto