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IRF9540NLPBF
MOSFET Transistor, P Channel, 23 A, 100 V, 117 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9540NLPBF
No. Parte Newark25M9853
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9540NLPBF
No. Parte Newark25M9853
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.117ohm
Diseño de TransistorTO-262
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia3.1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-262
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.117ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto