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IRF9530NPBF.
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9530NPBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0656
También conocido comoSP001570634
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 10+ | $0.698 |
| 100+ | $0.624 |
| 500+ | $0.446 |
| 1000+ | $0.412 |
| 4000+ | $0.404 |
Precio para:Cada
Mínimo: 50
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9530NPBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0656
También conocido comoSP001570634
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd79W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia79
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
El IRF9530NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P de -100V en paquete TO-220AB.. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de -100V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 200mohm
- Disipación de potencia Pd de 79W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de -14A en Vgs -10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
79W
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
79
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF9530NPBF.
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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