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IRF8736TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 18 A, 0.0048 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF8736TRPBF
No. Parte Newark58M7430
También conocido comoSP001551638
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.40 |
| 10+ | $0.93 |
| 25+ | $0.84 |
| 50+ | $0.75 |
| 100+ | $0.66 |
| 250+ | $0.60 |
| 500+ | $0.53 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF8736TRPBF
No. Parte Newark58M7430
También conocido comoSP001551638
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0048
Resistencia de Activación Rds(on)0.0039ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF8736TRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de HEXFET® que ofrece voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados. Es adecuado para la protección de la batería, el interruptor de carga del lado alto y del lado bajo, la potencia del procesador del portátil y los convertidores de CD a CD aislados.
- Baja carga de compuerta
- Probado Rg 100%
- Muy baja resistencia estática de drenaje a fuente ON a un voltaje de puerta a fuente de 4.5V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0048
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF8736TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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