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IRF7854TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Montaje Superficial
514 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.840 | $9.20 |
| Total Precio | $9.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.840 |
| 10+ | $1.210 |
| 25+ | $1.090 |
| 50+ | $0.986 |
| 100+ | $0.876 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.785 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7854TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5388
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9209
Cinta adhesiva13AC9209
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0134ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9V
Disipación de Potencia Pd2.5W
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de canal N ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. Adecuado para su uso en topologías de interruptor del lado primario en puente o de dos interruptores delanteros que usan entradas de rango ETSI de 48V (±10%) o de 36V a 60V, interruptor de rectificación síncrona del lado secundario para salida de 12V, adecuado para aplicaciones Buck CD-CD síncronas no aisladas de 48V.
- Puerta baja para cargar la carga para reducir la pérdida de conmutación
- Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS efectivo para simplificar el diseño
- Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
2.5W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0134ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF7854TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto