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IRF7832TRPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7832TRPBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0649
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0031
Resistencia de Activación Rds(on)0.0031ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.32
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.155
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0031
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0031ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.32
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
155
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF7832TRPBF.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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