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IRF7495TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF7495TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK5383 Re-reeling (Rollos a medida)43AC3290RL Cinta adhesiva43AC3290 |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
1,392 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.520 | $2.52 |
| Total Precio | $2.52 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.520 |
| 50+ | $1.330 |
| 100+ | $1.210 |
| 250+ | $1.110 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.990 |
| 2500+ | $0.970 |
| 5000+ | $0.949 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.828 |
| 8000+ | $0.804 |
| 12000+ | $0.779 |
| 20000+ | $0.763 |
| 40000+ | $0.748 |
| 100000+ | $0.732 |
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF7495TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK5383 Re-reeling (Rollos a medida)43AC3290RL Cinta adhesiva43AC3290 |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 7.3A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.022ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| Disipación de Potencia | 2.5W |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.022ohm |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| No. de Pines | 8Pines |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 7.3A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Disipación de Potencia | 2.5W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF7495TRPBF
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |