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IRF7341GTRPBF
MOSFET Doble, Canal N, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohms, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7341GTRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0327
Cinta adhesiva49AC0327
Rango de ProductoHEXFET Series
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.100 |
| 10+ | $1.780 |
| 25+ | $1.680 |
| 50+ | $1.590 |
| 100+ | $1.490 |
| 250+ | $1.380 |
| 500+ | $1.270 |
| 1000+ | $1.240 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7341GTRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0327
Cinta adhesiva49AC0327
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N55
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P55
Intensidad Drenador Continua Id5.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.1
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.043
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.043
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.7
Disipación de Potencia de Canal P1.7
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
HEXFET® power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio.
- Tecnología de proceso avanzada
- MOSFET de doble canal N
- Ultra baja resistencia de encendido
- Temperatura de operación de 175°C
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
55
Intensidad Drenador Continua Id
5.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.043
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.7
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
55
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.043
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF7341GTRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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