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5.1A MOSFETs Dobles:
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Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
Diseño de Transistor
No. de Pines
Disipación de Potencia de Canal N
Disipación de Potencia de Canal P
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| Comparar | Precio para | Quantity | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $3.100 10+ $1.780 25+ $1.680 50+ $1.590 100+ $1.490 Más precios… | Total:$3.10 Mín.: 1 / Múlt.: 1 Total:$149.00 Mín.: 100 / Múlt.: 1 | N Channel | 55 | 55V | 5.1A | 55 | 5.1 | 5.1 | 0.043 | 0.043 | SOIC | 8Pines | 1.7 | 1.7 | 175 | - | HEXFET Series | ||||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+ $2.160 10+ $1.370 25+ $1.240 50+ $1.100 100+ $0.973 Más precios… | Total:$2.16 Mín.: 1 / Múlt.: 1 | Complementary N and P Channel | 20 | 20V | 5.1A | 20 | 5.1 | 5.1 | 0.041 | 0.041 | TSDSON | 8Pines | 2.5 | 2.5 | 175 | AEC-Q101 | OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series | |||||
