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IRF7328TRPBFXTMA1
MOSFET Dual, Doble Canal P, 30 V, 8 A
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark79AK7073
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark79AK7073
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorSO-8
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.021ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
SO-8
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto