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IRF7319TRPBF
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7319TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo99AK9907
Cinta adhesiva40M7945
También conocido comoSP001563414
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
4,773 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.360 |
| 10+ | $1.470 |
| 25+ | $1.320 |
| 50+ | $1.160 |
| 100+ | $1.010 |
| 250+ | $0.902 |
| 500+ | $0.800 |
| 1000+ | $0.730 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.449 |
| 8000+ | $0.437 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7319TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo99AK9907
Cinta adhesiva40M7945
También conocido comoSP001563414
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.023ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Generation V Technology
- Ultra low On-Resistance
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.023ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.023ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF7319TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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