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IRF7316TRPBF
Dual MOSFET, Dual P Channel, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7316TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5373
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0407
Cinta adhesiva42Y0407
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Hoja de datos técnicos
12,146 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.300 |
| 25+ | $1.160 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.887 |
| 250+ | $0.795 |
| 500+ | $0.702 |
| 1000+ | $0.619 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.396 |
| 8000+ | $0.381 |
| 16000+ | $0.379 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7316TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5373
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0407
Cinta adhesiva42Y0407
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.042ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.042ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.042ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.042ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF7316TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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