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IRF7105TRPBF.
MOSFET Dual, Canal doble N y doble P, 25 V, 25 V, 3.5 A, 2.3 A, 0.1 ohm
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 8000+ | $0.338 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7105TRPBF.
No. Parte Newark26AC0612
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal doble N y doble P
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P25
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.25
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal doble N y doble P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.25
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
25
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.1
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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