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IRF6717MTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 38 A, 0.00125 ohm, DirectFET MX, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.872 | $0.87 |
| Total Precio | $0.87 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $4.860 | $0.872 |
| 10+ | $3.060 | $0.872 |
| 25+ | $2.760 | $0.872 |
| 50+ | $2.460 | $0.872 |
| 100+ | $2.150 | $0.872 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6717MTRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)34AC1776
Cinta adhesiva34AC1776
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id38A
Resistencia de Activación Rds(on)950µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00125
Diseño de TransistorDirectFET MX
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8V
Disipación de Potencia Pd96W
Disipación de Potencia96W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF6717MTRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de canal N único en un paquete DirectFET™ MX ideal para convertidores CD-CD de núcleo de CPU, LED, control de motor y portátiles.
- Clasificación de alta corriente
- Capacidad de enfriamiento de dos lados
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Capacidad de carga de alta corriente
- Rendimiento térmico óptimo
- Factor de forma compacto y alta eficiencia
- Amigable con el medio ambiente
- Baja conducción y pérdidas de conmutación.
- Optimizado para conmutación de alta frecuencia
- Optimizado para sincronización. Socket FET de sincronización. convertidor de moneda
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia de Activación Rds(on)
950µohm
Diseño de Transistor
DirectFET MX
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
96W
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
38A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00125
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8V
Disipación de Potencia
96W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
