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IRF640NSTRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 18 A, 150 mohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF640NSTRLPBF
No. Parte Newark42Y0392
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.040 |
| 10+ | $1.390 |
| 25+ | $1.310 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $0.771 |
| 1600+ | $0.747 |
| 3200+ | $0.722 |
| 4800+ | $0.695 |
| 8000+ | $0.694 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF640NSTRLPBF
No. Parte Newark42Y0392
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRF640NSTRLPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF640NSTRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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