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IRF5305PBF
MOSFET POT, CANAL P, 55V, 31A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5305PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark63J7317
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564354
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.500 |
| 10+ | $1.110 |
| 100+ | $0.769 |
| 500+ | $0.611 |
| 1000+ | $0.575 |
| 2500+ | $0.521 |
| 10000+ | $0.466 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5305PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark63J7317
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564354
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF5305PBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P de -55V en paquete TO-220AB.. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de -55V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 60mohm con Vgs de -10V
- Disipación de potencia Pd de 110W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de -31A en Vgs -10V y 25 ° C
- Rango de temperatura de unión de -55°C a 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF5305PBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto