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IRF5210STRLPBF
P CHANNEL MOSFET, -100V, 40A D2-PAK
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210STRLPBF
No. Parte Newark40M7918
También conocido comoSP001554020
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
25,071 En Inventario
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3066 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
22005 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.810 |
| 10+ | $2.740 |
| 25+ | $2.590 |
| 50+ | $2.430 |
| 100+ | $2.270 |
| 250+ | $2.180 |
| 500+ | $2.160 |
| 1600+ | $1.960 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210STRLPBF
No. Parte Newark40M7918
También conocido comoSP001554020
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF5210STRLPBF es un MEXFET de potencia de canal P único HEXFET® que ofrece este diseño con una temperatura de operación de unión de 150°C, velocidad de conmutación rápida y clasificación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Conmutación rápida
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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