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IRF5210PBF.
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.020 |
| 10+ | $1.670 |
| 100+ | $1.480 |
| 500+ | $1.180 |
| 1000+ | $1.170 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210PBF.
No. Parte Newark26AC0589
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF5210PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal P. Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja de 0n por área de silicio.
- Tecnología de proceso avanzada
- Nueva resistencia ultra baja encendido
- Conmutación rápida
- Clasificación dv/dt dinámica
- Avalancha completa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Disipación de Potencia Pd
200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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