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IRF4905STRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF4905STRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40M7917RL
Cinta adhesiva40M7917
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.870 | $3.87 |
| Total Precio | $3.87 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.870 |
| 50+ | $2.740 |
| 100+ | $2.130 |
| 250+ | $2.120 |
| 500+ | $2.110 |
| 1000+ | $1.760 |
| 2500+ | $1.730 |
| 5000+ | $1.700 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF4905STRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40M7917RL
Cinta adhesiva40M7917
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id74A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia200W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF4905STRLPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un canal P de -55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología plana avanzada. Sus características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
74A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF4905STRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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