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IRF3710PBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3710PBFCopiar
No. Parte Newark63J7283
También conocido comoSP001551058
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.870 |
| 10+ | $1.910 |
| 100+ | $1.310 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $1.000 |
| 3000+ | $0.982 |
| 10000+ | $0.932 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3710PBFCopiar
No. Parte Newark63J7283
También conocido comoSP001551058
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id46A
Resistencia de Activación Rds(on)0.023ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF3710PBF es un MOSFET avanzado de potencia HEXFET® de canal único de 100V que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.023ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
46A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.023ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF3710PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto