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IRF3710PBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 57 A, 23 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3710PBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0582
También conocido comoSP001551058
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.350 |
| 10+ | $1.510 |
| 100+ | $1.020 |
| 500+ | $0.817 |
| 1000+ | $0.751 |
| 2500+ | $0.695 |
| 10000+ | $0.602 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.35
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3710PBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0582
También conocido comoSP001551058
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id57
Resistencia de Activación Rds(on)0.023ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF3710PBF es un MOSFET avanzado de potencia HEXFET® de canal único de 100V que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.023ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
57
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Disipación de Potencia Pd
200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF3710PBF.
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto