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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF2807ZPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark38K2765
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.720 |
| 10+ | $1.810 |
| 100+ | $1.300 |
| 500+ | $1.080 |
| 1000+ | $0.922 |
| 2500+ | $0.904 |
| 10000+ | $0.885 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF2807ZPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark38K2765
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id89
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9400µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRF2807ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is also suitable for AC-to-DC, consumer full-bridge, full-bridge and push-pull applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
89
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9400µohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
