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IRF200B211
MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF200B211
No. Parte Newark12AC9749
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF200B211
No. Parte Newark12AC9749
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.17
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9
Disipación de Potencia80
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.17
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
80
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET, HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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