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IRF200B211
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF200B211Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 semanas |
| No. Parte Newark | 12AC9749 |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET Series |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
4,235 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.370 |
| 10+ | $1.920 |
| 100+ | $1.460 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.990 |
| 2500+ | $0.970 |
| 10000+ | $0.949 |
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF200B211Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 semanas |
| No. Parte Newark | 12AC9749 |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET Series |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 200 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 12 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.17 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4.9 |
| Disipación de Potencia | 80 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET Series |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (21-Jan-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 200 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 80 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET Series |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 12 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.17 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4.9 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (21-Jan-2025) |
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (21-Jan-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |