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IRF150P221AKMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 186 A, 0.0036 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF150P221AKMA1
No. Parte Newark38AJ3785
Rango de ProductoStrongIRFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.270 |
| 10+ | $8.420 |
| 25+ | $6.590 |
| 50+ | $6.140 |
| 100+ | $5.700 |
| 250+ | $5.390 |
| 800+ | $5.160 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF150P221AKMA1
No. Parte Newark38AJ3785
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id186
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3600µohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.6
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia341
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
186
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3600µohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.6
Disipación de Potencia
341
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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